SI2336DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,1А; 1,1Вт; SOT23

SI2336DS-T1-GE3
52.71 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
3000+
9000+
12000+
15000+
18000+
Цена
41.09 ₽
32.56 ₽
27.91 ₽
26.36 ₽
24.03 ₽
20.93 ₽
20.93 ₽
20.16 ₽
19.38 ₽
Доступность: 3333 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI2336DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,1А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Артикул производителя
SI2336DS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
5,7нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SI2336DS-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
52мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
4,1А

Отзывы не найдены

Описание (si2336ds.pdf, 217 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены