SI2356DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 4,3А; Idm: 20А

SI2356DS-T1-GE3
60.87 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
100+
500+
1000+
Цена
38.74 ₽
30.83 ₽
26.88 ₽
22.92 ₽
18.18 ₽
17.39 ₽
Доступность: 1529 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI2356DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 4,3А; Idm: 20А" 1.

Артикул производителя
SI2356DS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
13нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
40В
Обозначение производителя
SI2356DS-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,7Вт
Сопротивление в открытом состоянии
70мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
4,3А
Ток стока в импульсном режиме
20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены