SI2365EDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -5,9А; Idm: -20А

SI2365EDS-T1-BE3
6439 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
Цена
52.08 ₽
24.62 ₽
21.78 ₽
19.89 ₽
18.94 ₽
17.99 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI2365EDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -5,9А; Idm: -20А" 1.

Артикул производителя
SI2365EDS-T1-BE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
36нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI2365EDS-T1-BE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,7Вт
Сопротивление в открытом состоянии
67,5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-5,9А
Ток стока в импульсном режиме
-20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены