SI2365EDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -5,9А; Idm: -20А

SI2365EDS-T1-BE3

Срок поставки 4-6 недель

74.83 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
250+
500+
1000+
3000+
Цена
49.32 ₽
29.76 ₽
23.81 ₽
20.41 ₽
17.01 ₽
16.16 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI2365EDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -5,9А; Idm: -20А" 1.

Артикул производителя
SI2365EDS-T1-BE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
36нC
Код производителя
SI2365EDS-T1-BE3
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,7Вт
Сопротивление в открытом состоянии
67,5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-5,9А
Ток стока в импульсном режиме
-20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России