SI2365EDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23

SI2365EDS-T1-GE3
3977 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
50+
100+
500+
2500+
3000+
9000+
Цена
39.77 ₽
30.30 ₽
25.57 ₽
17.05 ₽
16.10 ₽
16.10 ₽
16.10 ₽
Доступность: 1906 шт.

Срок поставки 6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI2365EDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Артикул производителя
SI2365EDS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
36нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI2365EDS-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
32мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-4,5А
Ток стока в импульсном режиме
-20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены