SI2367DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; 1,1Вт; SOT23

SI2367DS-T1-GE3
92.51 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
100+
250+
500+
1000+
1500+
3000+
9000+
Цена
77.98 ₽
68.04 ₽
39.76 ₽
32.87 ₽
29.05 ₽
25.99 ₽
24.46 ₽
22.17 ₽
22.17 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI2367DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Артикул производителя
SI2367DS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
9нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI2367DS-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
66мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-3А

Отзывы не найдены

Описание (si2367ds.pdf, 246 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены