SI2367DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; 1,1Вт; SOT23

SI2367DS-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

118.20 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
Цена
92.69 ₽
80.78 ₽
49.32 ₽
36.56 ₽
32.31 ₽
28.06 ₽
26.36 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI2367DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Артикул производителя
SI2367DS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
9нC
Код производителя
SI2367DS-T1-GE3
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
66мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-3А

Отзывы не найдены

Описание (si2367ds.pdf, 246 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России