SI2369BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -50А

SI2369BDS-T1-GE3
103.53 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
9000+
15000+
Цена
70.52 ₽
49.51 ₽
42.76 ₽
31.51 ₽
27.76 ₽
23.26 ₽
21.01 ₽
21.01 ₽
20.26 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI2369BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -50А" 1.

Артикул производителя
SI2369BDS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
19,5нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SI2369BDS-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-7,5А
Ток стока в импульсном режиме
-50А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России