Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SI2369BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -50А

Написать отзыв
SI2369BDS-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
117.35 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
9000+
15000+
Цена
79.93 ₽
56.12 ₽
48.47 ₽
35.71 ₽
31.46 ₽
26.36 ₽
23.81 ₽
23.81 ₽
22.96 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI2369BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -50А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI2369BDS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
19,5нC
Код производителя
SI2369BDS-T1-GE3
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
-30В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-7,5А
Ток стока в импульсном режиме
-50А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России