SI2369DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,6А; Idm: -80А; 1,6Вт; SOT23

SI2369DS-T1-GE3
80.80 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
Цена
61.60 ₽
46.40 ₽
40.80 ₽
31.20 ₽
29.60 ₽
Доступность: 239 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI2369DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,6А; Idm: -80А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Артикул производителя
SI2369DS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
36нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SI2369DS-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
29мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-7,6А
Ток стока в импульсном режиме
-80А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены