SI2387DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -3А; Idm: -10А

SI2387DS-T1-GE3
‍85‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
100+
500+
1000+
Цена
65 ₽
53 ₽
44 ₽
37 ₽
27 ₽
26 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SI2387DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -3А; Idm: -10А" 1.

Артикул производителя
SI2387DS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
10,2нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-80В
Обозначение производителя
SI2387DS-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
242мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-3А
Ток стока в импульсном режиме
-10А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены