Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SI2387DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -3А; Idm: -10А

Написать отзыв
SI2387DS-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
109.69 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
3000+
Цена
76.53 ₽
45.92 ₽
33.16 ₽
28.91 ₽
26.36 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI2387DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -3А; Idm: -10А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI2387DS-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
10,2нC
Код производителя
SI2387DS-T1-GE3
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-80В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
242мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-3А
Ток стока в импульсном режиме
-10А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России