Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
30нC
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-60В
Обозначение производителя
SI3127DV-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2,7Вт
Сопротивление в открытом состоянии
89мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-5,1А
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Отзывы не найдены