SI3407DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,7Вт; TSOP6

SI3407DV-T1-GE3
70.36 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
100+
500+
Цена
57.63 ₽
50.90 ₽
46.41 ₽
42.66 ₽
40.42 ₽
Доступность: 2530 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI3407DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,7Вт; TSOP6" 1.

Артикул производителя
SI3407DV-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
21нC
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI3407DV-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2,7Вт
Сопротивление в открытом состоянии
24мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-8А

Отзывы не найдены

Описание (si3407dv.pdf, 213 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России