SI3421DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -50А

SI3421DV-T1-GE3
14678 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
50+
100+
250+
500+
3000+
Цена
88.07 ₽
64.39 ₽
57.77 ₽
48.30 ₽
42.61 ₽
39.77 ₽
Доступность: 3072 шт.

Срок поставки 6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI3421DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -50А" 1.

Артикул производителя
SI3421DV-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
69нC
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SI3421DV-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2,7Вт
Сопротивление в открытом состоянии
19,2мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-8А
Ток стока в импульсном режиме
-50А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены