SI3421DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -50А

SI3421DV-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

133.50 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
Цена
97.79 ₽
68.03 ₽
57.82 ₽
40.82 ₽
39.97 ₽
Доступность: 1129 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3421DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -50А" 1.

Артикул производителя
SI3421DV-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
69нC
Код производителя
SI3421DV-T1-GE3
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2,7Вт
Сопротивление в открытом состоянии
19,2мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-8А
Ток стока в импульсном режиме
-50А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России