SI3429EDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; Idm: -40А; 2,7Вт; TSOP6

SI3429EDV-T1-GE3
Свяжитесь с нами насчёт цены
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI3429EDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; Idm: -40А; 2,7Вт; TSOP6" 1.

Артикул производителя
SI3429EDV-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
43,2нC
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI3429EDV-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2,7Вт
Сопротивление в открытом состоянии
38мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-8А
Ток стока в импульсном режиме
-40А

Отзывы не найдены

Описание (si3429edv.pdf, 270 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены