SI3433CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А

SI3433CDV-T1-GE3
74.16 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
200+
250+
500+
1000+
3000+
9000+
Цена
59.63 ₽
41.28 ₽
37.46 ₽
35.93 ₽
32.11 ₽
29.82 ₽
25.99 ₽
22.94 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI3433CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А" 1.

Артикул производителя
SI3433CDV-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
45нC
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI3433CDV-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
38мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-6А
Ток стока в импульсном режиме
-20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены