SI3443CDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -5,97А; Idm: -20А

SI3443CDV-T1-E3
000 
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI3443CDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -5,97А; Idm: -20А" 1.

Артикул производителя
SI3443CDV-T1-E3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
12,4нC
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI3443CDV-T1-E3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
3,2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-5,97А
Ток стока в импульсном режиме
-20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены