SI3457CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,1А; 2Вт; TSOP6

SI3457CDV-T1-GE3
140.29 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
Цена
96.02 ₽
69.02 ₽
60.02 ₽
42.01 ₽
36.76 ₽
29.26 ₽
27.76 ₽
Доступность: 957 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI3457CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,1А; 2Вт; TSOP6" 1.

Артикул производителя
SI3457CDV-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
5,1нC
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SI3457CDV-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
74мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-4,1А

Отзывы не найдены

Описание (si3457cdv.pdf, 203 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России