SI3458BDV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 3,2А; Idm: 10А

SI3458BDV-T1-GE3
148.62 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
Цена
114.62 ₽
79.05 ₽
63.24 ₽
57.71 ₽
51.38 ₽
49.01 ₽
Доступность: 1439 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI3458BDV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 3,2А; Idm: 10А" 1.

Артикул производителя
SI3458BDV-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
11нC
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60В
Обозначение производителя
SI3458BDV-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
3,2А
Ток стока в импульсном режиме
10А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены