SI3459BDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -2,9А; Idm: -8А

SI3459BDV-T1-GE3
‍98‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
1500+
3000+
9000+
15000+
Цена
90 ₽
76 ₽
70 ₽
59 ₽
54 ₽
53 ₽
50 ₽
46 ₽
45 ₽
Доступность: 298 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "SI3459BDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -2,9А; Idm: -8А" 1.

Артикул производителя
SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
12нC
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-60В
Обозначение производителя
SI3459BDV-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
3,3Вт
Сопротивление в открытом состоянии
288мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-2,9А
Ток стока в импульсном режиме
-8А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены