Москва
 +7(993)080-09-37

SI3459BDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -2,9А; Idm: -8А

Написать отзыв
SI3459BDV-T1-GE3
137.28 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
Цена
96.77 ₽
76.52 ₽
69.77 ₽
57.76 ₽
51.01 ₽
39.76 ₽
37.51 ₽
Доступность: 248 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI3459BDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -2,9А; Idm: -8А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
12нC
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-60В
Обозначение производителя
SI3459BDV-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
3,3Вт
Сопротивление в открытом состоянии
288мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-2,9А
Ток стока в импульсном режиме
-8А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России