SI3473CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -20А

SI3473CDV-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

188.78 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
50+
100+
250+
500+
Цена
153.91 ₽
129.25 ₽
95.24 ₽
74.83 ₽
61.22 ₽
51.02 ₽
48.47 ₽
Доступность: 2939 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3473CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -20А" 1.

Артикул производителя
SI3473CDV-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
65нC
Код производителя
SI3473CDV-T1-GE3
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-12В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
4,2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
36мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-8А
Ток стока в импульсном режиме
-20А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России