SI3474DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 3,8А; Idm: 14А

SI3474DV-T1-GE3
80.63 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
250+
500+
1000+
3000+
Цена
60.08 ₽
41.90 ₽
36.36 ₽
32.41 ₽
29.25 ₽
26.88 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI3474DV-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 3,8А; Idm: 14А" 1.

Артикул производителя
SI3474DV-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
10,4нC
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
SI3474DV-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2,33Вт
Сопротивление в открытом состоянии
126мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
3,8А
Ток стока в импульсном режиме
14А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены