Москва
 
+7 (993) 080-09-37
 

SI3493BDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -25А

Написать отзыв
SI3493BDV-T1-GE3
000 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI3493BDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -25А" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SI3493BDV-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
43,5нC
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI3493BDV-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2,97Вт
Сопротивление в открытом состоянии
45мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-8А
Ток стока в импульсном режиме
-25А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены