Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SI3493DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -32А

Написать отзыв
SI3493DDV-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
48.47 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
Цена
39.12 ₽
31.46 ₽
28.06 ₽
26.36 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI3493DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -32А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI3493DDV-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
52,2нC
Код производителя
SI3493DDV-T1-GE3
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
3,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
51,1мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-8А
Ток стока в импульсном режиме
-32А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России