Москва
 +7(993)080-09-37

SI3499DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -7А; Idm: -20А; 2Вт

Написать отзыв
SI3499DV-T1-GE3
0.00 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI3499DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -7А; Idm: -20А; 2Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI3499DV-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
42нC
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±5В
Напряжение сток-исток
-8В
Обозначение производителя
SI3499DV-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
48мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-7А
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены