SI3552DV-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2,5/-1,8А

SI3552DV-T1-E3

Срок поставки 4-6 недель

218.54 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
50+
100+
250+
500+
1000+
Цена
181.12 ₽
129.25 ₽
109.69 ₽
94.39 ₽
78.23 ₽
69.73 ₽
67.18 ₽
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3552DV-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2,5/-1,8А" 1.

Артикул производителя
SI3552DV-T1-E3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
3,6/3,2нC
Код производителя
SI3552DV-T1-E3
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30/-30В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,15Вт
Сопротивление в открытом состоянии
360/175мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
2,5/-1,8А
Ток стока в импульсном режиме
-7...8А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России