SI3552DV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2,5/-1,8А

SI3552DV-T1-GE3
Свяжитесь с нами насчёт цены
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI3552DV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2,5/-1,8А" 1.

Артикул производителя
SI3552DV-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
3,6/3,2нC
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30/-30В
Обозначение производителя
SI3552DV-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,15Вт
Сопротивление в открытом состоянии
360/175мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
2,5/-1,8А
Ток стока в импульсном режиме
-7...8А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены