SI3585CDV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3,1/-1,7А; 0,9/8Вт

SI3585CDV-T1-GE3
126.13 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
3000+
Цена
92.15 ₽
63.44 ₽
53.63 ₽
38.52 ₽
33.99 ₽
32.48 ₽
Доступность: 4200 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI3585CDV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3,1/-1,7А; 0,9/8Вт" 1.

Артикул производителя
SI3585CDV-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
4,8/9нC
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
20/-20В
Обозначение производителя
SI3585CDV-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,9/8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
78/316мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
3,1/-1,7А

Отзывы не найдены

Описание (si3585cd.pdf, 261 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России