Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

SI3590DV-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 3/-2А; TSOP6

Написать отзыв
SI3590DV-T1-E3
000 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "SI3590DV-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 3/-2А; TSOP6" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
SI3590DV-T1-E3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
6/4,5нC
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
30/-30В
Обозначение производителя
SI3590DV-T1-E3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,05Вт
Сопротивление в открытом состоянии
300/120мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
3/-2А
Ток стока в импульсном режиме
8А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены