SI3590DV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2/-1,3А

SI3590DV-T1-GE3
Свяжитесь с нами насчёт цены
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI3590DV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2/-1,3А" 1.

Артикул производителя
SI3590DV-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
4,5/6нC
Корпус
TSOP6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
30/-30В
Обозначение производителя
SI3590DV-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,53Вт
Сопротивление в открытом состоянии
77/170мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
2/-1,3А
Ток стока в импульсном режиме

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены