Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
167нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±25В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SI4143DY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
9,2мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-25,3А
Ток стока в импульсном режиме
-70А
Отзывы не найдены