SI4174DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13,5А; 3,2Вт; SO8

SI4174DY-T1-GE3
131.23 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
Цена
88.54 ₽
64.03 ₽
59.29 ₽
Доступность: 1692 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI4174DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13,5А; 3,2Вт; SO8" 1.

Артикул производителя
SI4174DY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
8нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SI4174DY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
3,2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
9,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
13,5А

Отзывы не найдены

Описание (si4174dy.pdf, 191 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены