SI4401BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,7А; Idm: -50А; 0,95Вт; SO8

SI4401BDY-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

368.20 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
2500+
Цена
301.02 ₽
271.26 ₽
246.60 ₽
237.24 ₽
213.44 ₽
193.03 ₽
185.37 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI4401BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,7А; Idm: -50А; 0,95Вт; SO8" 1.

Артикул производителя
SI4401BDY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
55нC
Код производителя
SI4401BDY-T1-GE3
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-40В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
0,95Вт
Сопротивление в открытом состоянии
14мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-8,7А
Ток стока в импульсном режиме
-50А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России