SI4401FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -11А; Idm: -80А

SI4401FDY-T1-GE3
153.36 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
100+
500+
Цена
131.23 ₽
118.58 ₽
101.98 ₽
80.63 ₽
73.52 ₽
Доступность: 2034 шт.

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "SI4401FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -11А; Idm: -80А" 1.

Артикул производителя
SI4401FDY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
31нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-40В
Обозначение производителя
SI4401FDY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
3,2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
18,3мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-11А
Ток стока в импульсном режиме
-80А

Отзывы не найдены

Описание (si4401fdy.pdf, 240 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены