Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
90нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI4403CDY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
25мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-13,4А
Ток стока в импульсном режиме
-40А
Отзывы не найдены