Москва
 +7(993)080-09-37

SI4403CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -13,4А; Idm: -40А

Написать отзыв
SI4403CDY-T1-GE3
165.04 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
250+
Цена
120.03 ₽
75.02 ₽
71.27 ₽
Доступность: 2097 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI4403CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -13,4А; Idm: -40А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI4403CDY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
90нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI4403CDY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
25мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-13,4А
Ток стока в импульсном режиме
-40А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России