Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
175нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI4423DY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
3Вт
Сопротивление в открытом состоянии
11,5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-14А
Ток стока в импульсном режиме
-50А
Отзывы не найдены