SI4431CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,2А; Idm: -30А; 2,7Вт; SO8

SI4431CDY-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

227.04 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
20+
50+
100+
200+
500+
1000+
2500+
Цена
159.01 ₽
142.01 ₽
121.60 ₽
107.99 ₽
95.24 ₽
79.93 ₽
68.88 ₽
63.78 ₽
Доступность: 1675 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4431CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,2А; Idm: -30А; 2,7Вт; SO8" 1.

Артикул производителя
SI4431CDY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
38нC
Код производителя
SI4431CDY-T1-GE3
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2,7Вт
Сопротивление в открытом состоянии
32мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-7,2А
Ток стока в импульсном режиме
-30А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России