Вид канала
обогащенный
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SI4435DYTRPBF
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм
Технология
HEXFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-6,4А
Ток стока в импульсном режиме
-50А
Отзывы не найдены