SI4435FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12,6А; Idm: -32А

SI4435FDY-T1-GE3
‍82‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
Цена
65 ₽
48 ₽
40 ₽
35 ₽
Доступность: 2446 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "SI4435FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12,6А; Idm: -32А" 1.

Артикул производителя
SI4435FDY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
28нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SI4435FDY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
4,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-12,6А
Ток стока в импульсном режиме
-32А

Отзывы не найдены

Описание (si4435fdy.pdf, 187 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены