Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
28нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
SI4435FDY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
4,8Вт
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-12,6А
Ток стока в импульсном режиме
-32А
Отзывы не найдены