SI4447DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,5А; Idm: -30А

SI4447DY-T1-GE3
136.76 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
2500+
Цена
116.21 ₽
105.14 ₽
97.23 ₽
92.49 ₽
83.00 ₽
77.47 ₽
75.10 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "SI4447DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,5А; Idm: -30А" 1.

Артикул производителя
SI4447DY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
14нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±16В
Напряжение сток-исток
-40В
Обозначение производителя
SI4447DY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
72мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-4,5А
Ток стока в импульсном режиме
-30А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены