Москва
 +7(993)080-09-37

SI4447DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,5А; Idm: -30А

Написать отзыв
SI4447DY-T1-GE3
142.96 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
2500+
Цена
121.26 ₽
109.28 ₽
101.05 ₽
96.56 ₽
86.83 ₽
80.84 ₽
77.84 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI4447DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,5А; Idm: -30А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI4447DY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
14нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±16В
Напряжение сток-исток
-40В
Обозначение производителя
SI4447DY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
72мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-4,5А
Ток стока в импульсном режиме
-30А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России