SI4463CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -18,6А; Idm: -60А

SI4463CDY-T1-GE3
16667 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
2500+
Цена
153.41 ₽
139.20 ₽
111.74 ₽
104.17 ₽
96.59 ₽
93.75 ₽
89.96 ₽
88.07 ₽
Доступность: 2194 шт.

Срок поставки 6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI4463CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -18,6А; Idm: -60А" 1.

Артикул производителя
SI4463CDY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
162нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI4463CDY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
14мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-18,6А
Ток стока в импульсном режиме
-60А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены