Москва
 +7(993)080-09-37

SI4463CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -18,6А; Idm: -60А

Написать отзыв
SI4463CDY-T1-GE3
222.31 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
Цена
164.67 ₽
115.27 ₽
99.55 ₽
89.07 ₽
Доступность: 47 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI4463CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -18,6А; Idm: -60А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI4463CDY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
162нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI4463CDY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
14мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-18,6А
Ток стока в импульсном режиме
-60А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России