SI4464DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 2,2А; Idm: 8А; SO8

SI4464DY-T1-E3
265.61 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
2500+
Цена
186.56 ₽
131.23 ₽
117.00 ₽
113.83 ₽
109.09 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI4464DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 2,2А; Idm: 8А; SO8" 1.

Артикул производителя
SI4464DY-T1-E3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
18нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
200В
Обозначение производителя
SI4464DY-T1-E3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,26Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
2,2А
Ток стока в импульсном режиме

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены