SI4477DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -26,6А; Idm: -60А; 4,2Вт; SO8

SI4477DY-T1-GE3
000 
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SI4477DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -26,6А; Idm: -60А; 4,2Вт; SO8" 1.

Артикул производителя
SI4477DY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
0,19мкC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
-20В
Обозначение производителя
SI4477DY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
4,2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
6,2мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Ток стока
-26,6А
Ток стока в импульсном режиме
-60А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены