SI4501BDY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-8В; 12/-8А; SO8

SI4501BDY-T1-GE3
000 
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "SI4501BDY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-8В; 12/-8А; SO8" 1.

Артикул производителя
SI4501BDY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
42/25нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±8/±20В
Напряжение сток-исток
30/-8В
Обозначение производителя
SI4501BDY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
3,1/4,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии
37/20мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
12/-8А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены