Москва
 +7(993)080-09-37

SI4532CDY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 4,9/-3,4А

Написать отзыв
SI4532CDY-T1-GE3
160.12 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
2500+
Цена
111.03 ₽
80.82 ₽
70.24 ₽
49.85 ₽
43.05 ₽
41.54 ₽
Доступность: 2220 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SI4532CDY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 4,9/-3,4А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SI4532CDY-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
9/12нC
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30/-30В
Обозначение производителя
SI4532CDY-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1,78Вт
Сопротивление в открытом состоянии
47/89мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Ток стока
4,9/-3,4А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России